ساختار تار عنکبوتی به‌عنوان سطوح امپدانس بالا
نویسندگان
چکیده مقاله:
دراین مقاله با توجه به اهمیت ساختار سطوح امپدانس بالا (HIS) به عنوان هادی مغناطیسی مصنوعی (AMC)، ساختارهای جدیدی به عنوان سلول واحد با الهام از طبیعت و تارهای عنکبوت ارائه شده است. برای مقایسه عملکرد، ساختار متداول قارچی‌شکل (sievenpiper mushroom) با و بدون خط اتصال به زمین (via) نیز (با ابعاد یکسان) طراحی و نتایج آن با ساختارهای پیشنهادی، مقایسه شده است. در ابتدا چندین ساختار رشتهای با قابلیت جابجایی فرکانس فاز صفر طراحی شده است. اهداف طراحی، کاهش فرکانس فاز صفر با داشتن پهنای‌باند قابل قبول و نیز جابجایی فرکانسی فاز صفر با تغییر ضخامت تارها است. طراحی در محدودهی فرکانسی 2 تا 3 گیگاهرتز و با نرم‌افزار HFSS صورت گرفته است.
منابع مشابه
ساختار تار عنکبوتی به عنوان سطوح امپدانس بالا
دراین مقاله با توجه به اهمیت ساختار سطوح امپدانس بالا (his) به عنوان هادی مغناطیسی مصنوعی (amc)، ساختارهای جدیدی به عنوان سلول واحد با الهام از طبیعت و تارهای عنکبوت ارائه شده است. برای مقایسه عملکرد، ساختار متداول قارچی شکل (sievenpiper mushroom) با و بدون خط اتصال به زمین (via) نیز (با ابعاد یکسان) طراحی و نتایج آن با ساختارهای پیشنهادی، مقایسه شده است. در ابتدا چندین ساختار رشتهای با قابل...
متن کاملطراحی آنتن شکافی باند وسیع با الگوی تشعشعی یک‌طرفه با استفاده از سطوح امپدانس بالا و لایه فریت
در این مقاله یک آنتن شکافی چندلایه جدید با الگوی تشعشعی یک‌طرفه که با خط مایکرواستریپ تغذیه می‌شود و از یک بازوی دوشاخه برای تنظیم فرکانسی بهره می‌برد، ارائه شده است. آنتن شکافی پهن در یک ساختار چندلایه شامل سطح امپدانس بالا (HIS) ، لایه‌های دی‌الکتریک ضخیم، لایه فریت و صفحه زمین فلزی قرار گرفته است. لایه امپدانس بالای راکتیو برای دست‌یابی به عملکرد فراپهن باند (UWB) اضافه شده و لایه فریت از تش...
متن کاملاینورتر چندسطحی پُل H با ساختار منبع امپدانس
در این مقاله، یک ساختار جدید برای اینورتر پُل H آبشاری چندسطحی مبتنی بر مبدل منبع امپدانس DC-DC ارائه شده است که تنها نیاز به یک ورودی DC دارد. به‌منظور ایجاد چند ورودی ولتاژ ایزوله موردنیاز برای اینورترهای پُل H از مبدل منبع امپدانس ترانسفورماتور DC-DC استفاده شده که توانایی افزایش سطح ولتاژ را نیز دارد. در ساختار جدید، اصول عملکرد و کلیه روابط حاکم بر مبدل پیشنهادی به‌طور کامل بررسی شده است. نم...
متن کاملطراحی و شبیه سازی آنتن با استفاده از ساختارهای ebg و سطوح امپدانس بالا
امروزه ساختارهای باند ممنوعه الکترومغناطیسی (ebg) به دلیل ویژگی های منحصر به فرد الکترومغناطیسی که دارا هستند، توجه زیادی را به خود جلب کرده اند. مهمترین ویژگی این ساختارها وجود یک باند ممنوعه فرکانسی برای امواج الکترومغناطیسی در آن ها است، به طوری که در این ناحیه فرکانسی، این ساختارها از انتشار امواج الکترومغناطیسی درون خود جلوگیری می کنند. دو ویژگی مهم ساختارهای ebg یکی فرونشاندن امواج سطحی م...
15 صفحه اولبررسی امپدانس الکتروشیمیایی پوشش نانو ساختار Ti/TiN اعمال شده بر روی سطح آلومینیوم 7075 با روش کندو پاش مغناطیسی خلاء بالا
در این تحقیق رفتار خوردگی پوشش چند لایه تیتانیوم/ نیترید تیتانیوم اعمال شده بر روی سطح آلومینیوم 7075 به‌روش EIS مورد بحث و بررسی قرار گرفته است. پوشش تیتانیوم/ نیترید تیتانیوم با استفاده از فرایند کند و پاش مغناطیسی خلاء بالا بر روی سطح نمونهها اعمال شده، سپس فاز، ساختار و مورفولوژی پوشش به ترتیب با استفاده از روشهایGIXRD، FESEMو AFM مورد بررسی قرار گرفته، همچنین رفتار خوردگی پوشش در بازه‌های...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
عنوان ژورنال
دوره 12 شماره 38
صفحات 75- 82
تاریخ انتشار 2014-11-22
با دنبال کردن یک ژورنال هنگامی که شماره جدید این ژورنال منتشر می شود به شما از طریق ایمیل اطلاع داده می شود.
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023